Έλεγχος IGBT module half bridge με πολύμετρο
Οδηγίες βασισμένες στα module: CM200DY-12H Mitsubishi IGBT 600V 200A & Semikron SKM195GB066D Dual Half Bridge IGBT Module, 265 A 600 V Το Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) αποτελεί ένα δομικό ηλεκτρονικό στοιχείο στον τομέα των ηλεκτρικών ισχύος, συνδυάζοντας τα χαρακτηριστικά του Bipolar Junction Transistor (BJT) και του Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET). Δύο από τα κύρια χαρακτηριστικά που καθιστούν το IGBT ξεχωριστό είναι η απομονωμένη πύλη του και η αντοχή του σε υψηλές τάσεις. Η απομονωμένη πύλη του IGBT αποτελεί ένα σημαντικό χαρακτηριστικό που συνδυάζει τη λειτουργία του MOSFET με τα πλεονεκτήματα της ηλεκτρικής απομόνωσης. Η λειτουργία της πύλης είναι να ελέγχει το ρεύμα που διαρρέει το IGBT, επηρεάζοντας την αγωγιμότητα του. Όταν στην πύλη εφαρμόζεται θετική τάση, δημιουργείται ένα ηλεκτρικό πεδίο που επηρεάζει την κατάσταση αγωγιμότητας του IGBT. Κατά τη διάρκεια λειτουργίας του IGBT, η πύλη παρουσιάζει χωρητική συμπεριφορά. Κατά τ